台積電2nm工藝研發進展超預期 將採用環繞柵極晶體管技術
2020年09月22日11:06

原標題:台積電2nm工藝研發進展超預期 將採用環繞柵極晶體管技術

【TechWeb】9月22日消息,據國外媒體報導,在5nm工藝今年一季度投產,為Apple等客戶代工最新的處理器之後,芯片代工商台積電下一步的工藝研發重點就將是更先進的3nm和2nm工藝。

在7月16日的二季度財報分析師電話會議上,台積電CEO魏哲家透露,他們3nm工藝的研發正在按計劃推進,仍將採用成熟的鰭式場效應晶體管技術(FinFET),計劃在明年風險試產,2022年下半年大規模投產。

同多次提及的3nm工藝相比,台積電目前並未公佈太多2nm工藝的消息,在近幾個季度的財報分析師電話會議上均未曾提及。

雖然台積電方面未對外公佈2nm工藝的消息,但外媒援引產業鏈人士透露的消息,還是進行過多次報導。

在最新的報導中,外媒援引產業鏈消息人士的透露報導稱,台積電2nm工藝的研發進展超出預期,快於他們的計劃。

這一消息人士還透露,台積電的2nm工藝,不會繼續採用成熟的鰭式場效應晶體管技術,而會採用環繞柵極晶體管技術(GAA)。

在此前的報導中,外媒提及的與台積電2nm工藝相關的信息,出現過兩次,均是在8月底。其一是台積電已在謀劃2nm工藝的芯片生產工廠,將建在總部所在的新竹科學園區,台積電負責營運組織的資深副總經理秦永沛,透露他們已經獲得了建廠所需的土地。第二次是在上月底的台積電2020年度全球技術論壇上,他們透露正在同一家主要客戶緊密合作,加快2nm工藝的研發進展,相關的投資也在推進。

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