三星芯片或直接升至3mm工藝 以和台積電競爭
2020年07月04日11:04

原標題:三星芯片或直接升至3mm工藝 以和台積電競爭 來源:手機新浪網

據外媒報導,近日三星更新了他們的芯片工藝線路圖,其中三星在芯片工藝上將會跳過4nm製程工藝,直接從5nm製程工藝提升至3nm製程工藝。三星這樣的計劃,主要是為了能夠與行業前列的台積電進行競爭。

台積電近幾年一直走在行業前列,除了7nm和5nm工藝都是率先量產,他們還獲得了大量的其他企業的代工合同。三星現在直接進行3nm工藝研發,就是為了縮小與台積電的差距,甚至實現超越。

而台積電的3nm工藝,在公司創始人張忠謀退休前就已開始謀劃,在他退休前8個月的一次採訪中,就談到3nm工廠,當時他透露採用3nm工藝的芯片製造工廠計劃在2022年建成,保守估計建成時可能會花費150億美元,最終可能會達到200億美元。

按照5月份時候的計劃,三星將會從8月份開始批量生產5nm Exynos芯片,同時他們還會繼續改進已經推出的7nm芯片Exynos 990。

消息人士透露,三星已經完成了基於5nm EUV工藝的下一代Exynos SoC批量生產所需的所有準備工作。三星的芯片部門還在等待,等待有關是否要用在Galaxy Note 20系列中的決定。

另外,三星從今年2月份開始就已經在批量生產用於移動設備的16GB LPDDR5 DRAM芯片。這些芯片已經用在了三星Galaxy S20 Ultra 5G版身上。近期,三星增加了這款芯片的產量,因此有理由相信將會運用在三星Galaxy Note20系列身上。

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