用於HZZH 98%高效功率模塊的Transphorm GaN
2020年03月17日21:00

GOLETA, CA, Mar 17, 2020 - (亞太商訊) - Transphorm Inc.是一家設計和製造最高可靠性產品的領先公司,其研發了第一台符合JEDEC-和AEC-Q101標準的高壓氮化鎵(GaN)功率半導體元件。目前,經證實,Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd(HZZH)已開發出一種基於GaN的超高效功率模塊。3kW ZHR483KS採用Transphorm的GaN器件,效率達到98%,成為迄今為止電信行業效率最高的GaN驅動模塊。原始設計製造商(ODM)可以將提供標準化輸出連接器配置的ZHR483KS與現有的同功率模塊交換,從而以較低的總體系統成本實現高可靠性、高性能解決方案。

設定行業標杆

ZHR483KS是HZZH首個基於GaN的功率解決方案,也是新產品線的龍頭產品。該模塊的輸入電壓範圍為85伏至264伏,而其輸出電壓範圍為42伏至58伏。 Transphorm的TPH3205WS-GaN器件用於交錯無橋圖騰式PFC,以實現98%的半負載效率。 GaN器件降低了功率模塊的開關損耗和驅動損耗,因此ZHR483KS的性能優於以前使用超級結矽MOSFET的模塊。

HZZH首席技術官Guo博士表示:“我們在尋找一種功率晶體管,幫助我們為客戶開發一種更高效、更具成本效益的解決方案。我們曾考慮碳化矽器件,但在低電壓條件下無法達到預期優勢。然後,我們審查了幾家GaN製造商的器件,最終鑑於可靠性、器件成本和實現簡單,我們選擇了Transphorm的GaN場效應晶體管(FET)。”

Transphorm的GaNFET是一種雙芯片增強型場效應晶體管,可採用標準的TO-XXX封裝和普通現成驅動器驅動的PQFN模塊。當前的Gen III系列提供了GaN半導體行業最高閾值電壓(4V)和最高門穩健性(±20V)。因此,客戶能夠輕鬆地設計出高可靠性的GaN解決方案,以實現該技術的高功率密度優勢。

Transphorm亞洲區銷售副總裁Kenny Yim說:“Transphorm在開發每一代GaN平台時都考慮了四個關鍵因素:可靠性、可驅動性、可設計性和可重複性。HZZH認為,我們的客戶打破市場需要這四個因素,因此選擇我們作為其GaN合作夥伴,於此,我們感到自豪。正是此次合作,我們的GaN被設計成各種不同的多千瓦電力系統,創造了行業記錄。我們預計,隨著我們未來在產品上的繼續合作,HZZH將繼續創新。”

ZHR483KS目前正在生產中。

Transphorm, Inc.簡介

Transphorm,Inc.(www.transphormusa.com)是GaN革命的全球領導者,專門設計和製造用於高壓功率轉換應用的最高性能、最高可靠性的高壓GaN半導體。 Transphorm擁有最大的功率GaN IP產品組合之一,生產了業界第一款符合GEDEC和AEC-Q101標準的GaN FET。該公司採用垂直集成的器件業務模式,在每個開發階段進行創新:設計、製造、設備和應用支持。推特: @transphormusa

聯繫人:

Heather Ailara

211 Communications

+1.973.567.6040

heather@211comms.com

資料來源: Transphorm, Inc.

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