存儲芯片領域 中國迎來打破美日韓壟斷關鍵一戰
2019年09月11日00:36

  原標題:在這一領域,中國迎來打破美日韓壟斷關鍵一戰

  參考消息網9月11日報導 港媒稱,紫光集團旗下長江存儲近日宣佈,已開始量產基於自主研發Xtacking架構的64層三維閃存(3D NAND),容量為256Gb,以滿足固態硬盤(SSD)嵌入式存儲等主流市場應用的需求,這也是中國首款64層三維閃存芯片,將使中國與世界一線三維閃存企業的技術差距縮短到兩年以內,被視為中國打破美日韓壟斷關鍵一戰。

  據香港《大公報》近日報導,長江存儲官網消息,上海中國國際半導體博覽會舉行前夕,公司宣佈已開始量產基於XtackingR架構的64層“三階儲存單元”3D NAND閃存。作為中國首款64層3D NAND閃存,該產品將亮相博覽會紫光集團展台。

  所謂3D NAND是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來,形成多層結構提供容量,使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。

  縮短產品上市週期

  報導指出,長江存儲64層三維閃存是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量產的閃存產品,擁有同代產品中最高存儲密度。創新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合,相比傳統三維閃存架構可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期。

  長江存儲相關負責人向《大公報》表示,長江存儲64層三維閃存產品的量產,將使中國與世界一線三維閃存企業的技術差距縮短到兩年以內。

  紫光集團聯席總裁刁石京表示,長江存儲進入到這個領域之前,國內一直沒有大規模存儲芯片的生產,未來,隨著雲計算、大數據的發展,人類對數據存儲要求是越來越高,三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領域,它的量產也標誌著中國離國際先進水平又大大跨近一步,把中國產品水平跟海外的先進水平縮短到了一代。

  明年底月產六萬片晶圓

  報導稱,存儲芯片競爭激烈,三星、海力士、東芝、西部數據、美光、英特爾等巨頭在產能上持續投入。2018年,64層、72層的3D NAND閃存就已經是主力產品,2019年開始量產92層、96層的產品,到2020年,大廠們即將進入128層3D NAND閃存的量產。

  業界有關人士分析,長江儲存發展迅速,但目前表態保守,其雖然未公佈量產規模,預計2020年底其可望將產能提升至月產6萬片晶圓的水平。

  據報導,長江存儲64層三維閃存產品的量產有望使中國存儲芯片自產率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下,長江存儲的64層3D NAND閃存量產消息別具意義。

  業界預測,長江存儲最快明年跳過96層直接進入128層三維閃存,實現彎道超車。據悉,長江存儲已推出Xtacking2.0規劃,藉以提升NAND吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能、開啟定製化NAND全新商業模式等,相關產品將被廣泛應用於數據中心,企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域。

長江存儲64層3D NAND閃存晶圓(長江存儲官網)
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓(長江存儲官網)
 

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