Samsung宣佈大規模生產第五代V-NAND閃存芯片
2018年07月11日16:38

  據外媒7月10日報導,頂級NAND閃存芯片製造商Samsung宣佈已開始大規模生產其第五代V-NAND閃存芯片。

  Samsung第五代V-NAND內存芯片是業內第一個利用Toggle DDR 4.0接口的產品。該接口被稱為數據傳輸的高速公路,在存儲之間的傳輸速度可達1.4 Gbps。與前一代產品相比,後者使存儲的傳輸速度提高了40%。此外,新的V-NAND數據寫入速度僅延遲了500微妙,與前一代相比改進了30%,讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節能,電壓從1.8V降至1.2V。

  為了實現上述所有的改進,新一代V-NAND配備了90層的3D TLC 閃存存儲單元。它們堆疊成金字塔狀結構,中間有微小孔。這些小孔用作通道,尺度僅有幾百微米寬,包含超過850億個閃存單元,每個單元存儲多達3比特數據,單Die容量達256Gb(32GB)。這種製造方法包括了許多先進技術,比如電路設計、新工藝技術等。具體細節Samsung未詳述,但該公司稱,V-NAND的改進使其生產效率提高了30%以上。(實習編譯:鄭婷婷 審稿:李宗澤)【環球網科技綜合報導】

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